Page 74 - 07
P. 74

Ô³çèêî-õ³ì³÷íà ìåõàí³êà ìàòåð³àë³â. – 2015. – ¹ 1. – Physicochemical Mechanics of Materials






                  УДК 539.4
                       РОЗРАХУНОК ПОТЕНЦІАЛЬНОЇ ЕНЕРГІЇ ТА ГЕОМЕТРИЧНИХ
                                                 РОЗМІРІВ ДИСЛОКАЦІЙНОЇ ТРІЩИНИ

                                                               М. Г. СТАЩУК, М. І. ДОРОШ
                              Фізико-механічний інститут ім. Г. В. Карпенка НАН України, Львів
                    Досліджено дислокаційну тріщину, де на одній вершині задано стрибок переміщень,
                    а на другій – береги змикаються. Вказано фізичну суть задачі з позицій механіки руй-
                    нування для дислокаційної тріщини, якій ставиться у відповідність математична мо-
                    дель, яку описують півнескінченним дефектом у твердому тілі зі вставленою у ньо-
                    му  екстраплощиною  заданої  товщини  та  розрізом  на  продовженні.  В  межах  такої
                    моделі записано інтегральне рівняння, а також знайдено його розв’язок, на основі
                    якого встановлено напружено-деформований стан навколо дислокаційної тріщини.
                    У результаті визначено геометричні параметри та розраховано енергію тіла з дис-
                    локаційною тріщиною.
                    Ключові слова: дислокаційна тріщина, вектор Бюргерса, напружено-деформова-
                    ний  стан,  комплексні  потенціали  Колосова–Мусхелішвілі,  енергія  пружної  дефор-
                    мації, поверхнева енергія, рівноважна довжина дислокаційної тріщини.
                      Відомо, що руйнування та пластична деформація у кристалічних тілах є взає-
                  мозв’язані. В основному пластичне деформування в кристалах відбувається зав-
                  дяки зародженню та руху особливих лінійних дефектів – дислокацій. За великих
                  густин дислокацій у навантаженому матеріалі взаємодія між ними настільки сут-
                  тєва, що розпочинаються колективні ефекти, тобто кореляційний рух дислокацій
                  та локалізація їх потоків [1]. Саме такий кореляційний рух дислокацій значною
                  мірою визначає зародження та ріст тріщин, а також основні міцнісні характерис-
                  тики матеріалів.
                      Формулювання задачі. Сформульовано [1–4] розрахункові моделі утворен-
                  ня мікротріщини в деформованому металічному тілі, коли рух крайових дислока-
                  цій у ньому зупиняє певний бар’єр (рис. 1a). Під дією зовнішніх зусиль крайові
                  дислокації об’єднуються і утворюють нову супердислокацію з вектором Бюргер-

                  са  B = nb  (рис. 1b). Береги у ній розходяться на достатні відстані, щоб уже не
                  притягуватись. Їх можна вважати вільними поверхнями [1].
                      Таку супердислокацію названо [1] дислокаційною тріщиною і віднесено до
                  зароджених субмікротріщин у матеріалі. На сьогодні такі тріщини в механіці руй-
                  нування та теорії дислокацій мало вивчені, хоча приблизно оцінена [1, 3] енергія
                  тіла з дислокаційною тріщиною та її довжина. Тому вивчення дислокаційної трі-
                  щини та доопрацювання в точній постановці є важливою актуальною задачею.
                      Нехай в ідеальний кристал вставлена атомна півплощина товщини B. Такого
                  типу дефект у кристалічному тілі є дислокаційною тріщиною, яка, своєю чергою,
                  створює  внутрішній  напружено-деформований  стан  (НДС).  Згідно  з  працями
                  [1, 5, 6], крайні атоми вставленої півплощини та порожнина в їх околі є порушен-
                  ням регулярної структури кристала. На одній вершині тріщини, де закінчується

                  атомна вставка, стрибок переміщень рівний вектору Бюргерса  B  [5, 6]. У другій
                  вершині тріщини, де закінчується порушення структури кристала, її береги змика-

                      Контактна особа: М. Г. СТАЩУК, e-mail: stashchuk@ipm.lviv.ua
                  80
   69   70   71   72   73   74   75   76   77   78   79